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　　【bbin寶盈集團官網科技消息】4月30日，三星電子在2026年第一季度財報電話會議上表示，近期通用DRAM的盈利能力已高于高帶寬存儲器（HBM），但公司將維持兩者之間的均衡生產比重。

三星電子

　　三星電子方面承認：“近期通用DRAM的價格出現上漲，其盈利能力確實比HBM更高?！惫窘忉尫Q，HBM以年度為單位提前簽訂供應合同，而通用DRAM則以季度為單位進行價格協商，因此通用DRAM能夠更早反映價格上升趨勢，導致短期內的收益性出現逆轉。

　　不過，三星電子明確表示，不會因為通用DRAM短期盈利更高而大幅調整生產結構。公司強調，若生產過度向通用DRAM傾斜，反而會加劇HBM的供不應求局面，屆時HBM的盈利能力有望重新追趕上來。因此，三星計劃在通用DRAM和HBM之間維持均衡的生產比例，兼顧短期業績與長期戰略。

　　三星電子半導體業務負責人進一步透露，HBM4的差異化性能已經吸引了大量客戶需求，公司為HBM4準備的全部產能均已售罄。預計今年下半年，HBM4的供應量將全面擴大，其銷售額將在第三季度占到三星整體HBM銷售額的一半以上，在今年全年也將占據過半比重。

　　在技術迭代方面，三星電子已將1c納米制程的DRAM引入HBM4生產以提升產品性能。同時，下一代高帶寬存儲器HBM4E（第七代HBM）的首批樣品計劃于今年第二季度向主要客戶供應，相關業務準備工作正在加速推進。

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